半導体レーザーの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 小川 正道 |
| 发表日期 | 1993-07-02 |
| 专利号 | JP1993167192A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザーの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 簡単なプロセスで面発光レーザーを製造することができるようにするとともに、p型のDBR層を用いた場合にも電流注入に支障が生じないようにする。 【構成】 (-1-1-1)B面方位を有するn型GaAs基板1上にn型DBR層2及びi型AlGaAs層3をエピタキシャル成長させた後、i型AlGaAs層3に{110}面から成る側面を有する六角形の穴3aを形成する。次に、(-1-1-1)B面上でのみ成長が起きる条件でn型AlGaAs層4をエピタキシャル成長させる。次に、{110}面上でのみ成長が起きる条件でi型AlGaAs層5をエピタキシャル成長させる。この後、(-1-1-1)B面上でのみ成長が起きる条件でn型AlGaAsクラッド層6、活性層7、p型AlGaAsクラッド層8及びp型DBR層9をエピタキシャル成長させることによって、i型AlGaAs層5の穴5aの部分にロッド状のレーザー構造を形成する。 |
| 公开日期 | 1993-07-02 |
| 申请日期 | 1991-12-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86616]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小川 正道. 半導体レーザーの製造方法. JP1993167192A. 1993-07-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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