多層積層構造材料及び発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 柄沢 武; 大川 和宏; 三露 常男 |
| 发表日期 | 1996-04-12 |
| 专利号 | JP1996097511A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 多層積層構造材料及び発光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 分子線エピタキシーによる安定な成長を可能にする多重積層構造材料及びこの材料を用いた発光素子を提供する。 【構成】 n型GaAs基板56上にn型ZnMnSSe(層55)、n型ZnSSe(層54)、ノンドープZnCdSSe(層51)、p型ZnSSe(層52)、p型ZnMnSSe(層53)、p+ ZnSe(層58)コンタクト層の順に結晶成長を行う。絶縁層60としてSiO2 を用いて酸化膜ストライプを作製し、電極59として金Auを上全面に真空蒸着する。n型GaAs基板裏面にInを用いて電極57を形成する。 |
| 公开日期 | 1996-04-12 |
| 申请日期 | 1994-09-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86622]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 柄沢 武,大川 和宏,三露 常男. 多層積層構造材料及び発光素子. JP1996097511A. 1996-04-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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