窒化物系化合物半導体の結晶成長方法および窒化ガリウム系発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 木村 明隆; 笹岡 千秋; 山口 敦史; 仁道 正明 |
| 发表日期 | 1998-12-22 |
| 专利号 | JP1998341060A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物系化合物半導体の結晶成長方法および窒化ガリウム系発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体のC面内に非等方的な歪を加えることの出来る結晶成長方法を提供し、発振しきい値キャリア密度の低い窒化ガリウム系レーザおよび発光効率の良い窒化ガリウム系発光ダイオードを実現する。 【解決手段】 有機金属化学気相成長法を用いて、M面サファイア基板上に、(11-22)面を表面とする窒化ガリウム系化合物半導体を形成する。前記結晶成長方法により形成された窒化ガリウム系化合物半導体層を少なくとも含む窒化ガリウム系発光素子を形成する。この場合、窒化ガリウム系化合物半導体層のC面内には、サファイア基板との格子定数差や熱膨張係数差のため、非等方的な歪が加わり、窒化ガリウム系化合物半導体の価電子帯状態密度が減少する。 |
| 公开日期 | 1998-12-22 |
| 申请日期 | 1997-06-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86624]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 木村 明隆,笹岡 千秋,山口 敦史,等. 窒化物系化合物半導体の結晶成長方法および窒化ガリウム系発光素子. JP1998341060A. 1998-12-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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