半導体レーザ装置,及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 藤井 就亮; 越智 誠司 |
| 发表日期 | 1996-11-29 |
| 专利号 | JP1996316569A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置,及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 上クラッド層での有効な横方向の電流閉じ込めが実現され、そのレーザ特性が改善された半導体レーザ装置,及びその製造方法を提供する。 【構成】 n型GaAs基板1の表面は(100)面となっており、上クラッド層のストライプ形状のリッジ部100は[011]方向に伸びている。また、上クラッド層5を構成するp型Ga0.5 In0.5 P自然超格子層は、Gaの(11/1)面とInの(11/1)面が交互に並んだ構造,もしくはGaの(1/11)面とInの(1/11)面が交互に並んだ構造を有している。 【効果】 上クラッド層5のリッジ部100以外の部分において、横方向([0/11],[01/1]方向)は、上記GaInP自然超格子層の超格子面と交差する方向となり、この方向の電流の流れは抑制されるため、閾値電流の低減等レーザ特性の向上を実現することができる。 |
| 公开日期 | 1996-11-29 |
| 申请日期 | 1995-05-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86631]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 藤井 就亮,越智 誠司. 半導体レーザ装置,及びその製造方法. JP1996316569A. 1996-11-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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