高出力半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 多田 健太郎 |
| 发表日期 | 1999-12-10 |
| 专利号 | JP1999340563A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 高出力半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 本発明の目的は、キンク光出力が高く、閾値が低く、高温においても安定に動作する半導体レーザを提供することにある。 【解決手段】 レーザ共振器を構成する導波路1の一部に、他の部分より導波路幅が細く一定で、かつ分布帰還構造2を備えた狭幅部13を設けたことを特徴とする半導体レーザ。 |
| 公开日期 | 1999-12-10 |
| 申请日期 | 1998-05-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86634]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 多田 健太郎. 高出力半導体レーザ. JP1999340563A. 1999-12-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。