光半導体素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 佐々木 達也; 水戸 郁夫; 加藤 友章 |
| 发表日期 | 1997-10-03 |
| 专利号 | JP2701569B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 光半導体素子の製造方法 |
| 英文摘要 | PURPOSE:To manufacture an optical semiconductor element having an excellent high-temperature and optical output characteristics with high homogeneity and reproducibility. CONSTITUTION:A semiconductor laser is manufactured in such a way that, after dielectric thin films 21 are formed as two parallel stripes and semiconductor layers containing active layers 3 are selectively grown on a semiconductor substrate 1, sections adjacent to the active areas of the stripes 21 are removed by etching and clad layers 6 are selectively grown by an MOVPE method. Since this manufacturing process contains no semiconductor etching process, the homogeneity, high-temperature characteristics, etc., of the elements can be improved. |
| 公开日期 | 1998-01-21 |
| 申请日期 | 1991-04-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86637]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐々木 達也,水戸 郁夫,加藤 友章. 光半導体素子の製造方法. JP2701569B2. 1997-10-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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