光半導体素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 遠山 政樹; 平山 雄三 |
| 发表日期 | 1997-09-22 |
| 专利号 | JP1997252160A |
| 著作权人 | TOSHIBA CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 寄生容量と直列抵抗を同時に低減可能な狭メサ構造を自己整合的に実現することにより、電気信号により高速変調可能な光半導体素子を低コストで提供する。 【解決手段】 断面略T字形状であるストライプ状のクラッド層を有しており、クラッド層の足部は(111)結晶面を側面とする逆メサ形状を呈していることを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1997-09-22 |
| 申请日期 | 1996-03-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86638]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 遠山 政樹,平山 雄三. 光半導体素子およびその製造方法. JP1997252160A. 1997-09-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。