半導体発光装置
文献类型：专利
| 作者 | 屋敷 健一郎 |
| 发表日期 | 1996-04-02 |
| 专利号 | JP2503859B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体発光装置 |
| 英文摘要 | 【目的】II-VI族半導体とIII-V族半導体の混晶を活性層とすることで、ダブルヘテロ接合構造半導体レーザを作製する。 【構成】II-VI族半導体とIII-V族半導体の混晶よりなる活性層12をp形II-VI族半導体よりなるクラッド層13とn形II-VI族半導体よりなるクラッド層11により挟持することで、格子整合を保ちながら、II-VI族半導体の組み合わせだけでは得られない、十分な大きさのバンドギャップエネルギー差と屈折率差を持つダブルヘテロ構造が形成できる。 |
| 公开日期 | 1996-06-05 |
| 申请日期 | 1993-04-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86640]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 屋敷 健一郎. 半導体発光装置. JP2503859B2. 1996-04-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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