半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 須郷 満; 伊藤 義夫; 森 英史 |
| 发表日期 | 1993-03-19 |
| 专利号 | JP1993067841A |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 単結晶Siでなる半導体基板上に、単結晶III-V族化合物半導体でなる活性層を有する半導体積層体が、半導体レ—ザを構成すべく形成されている半導体装置において、活性層を残留応力の十分低いものにし、よって、半導体レ—ザを長寿命を有するものにする。
【構成】 活性層を構成している単結晶III-V族化合物半導体を、Inx (Ga1-y Aly )1-x As(0 |
| 公开日期 | 1993-03-19 |
| 申请日期 | 1991-09-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86656]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 須郷 満,伊藤 義夫,森 英史. 半導体装置. JP1993067841A. 1993-03-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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