半導体エピタキシヤル層の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 杉浦 勝己 |
| 发表日期 | 1993-04-02 |
| 专利号 | JP1993082454A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体エピタキシヤル層の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 InP基板上に形成するInx Ga1-x Asy P1-y 層に関し、トラップ濃度の少ない製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 InP基板上に有機金属気相エピタキシャル成長法によりInx Ga1-x Asy P1-y 層の成長を行う際に、InP基板温度を610 ℃以上に保持することを特徴として半導体エピタキシャル層の製造方法を構成する。 |
| 公开日期 | 1993-04-02 |
| 申请日期 | 1991-09-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86661]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杉浦 勝己. 半導体エピタキシヤル層の製造方法. JP1993082454A. 1993-04-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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