半導体発光装置
文献类型：专利
| 作者 | 藤井 克司; 長尾 哲; 下山 謙司; 後藤 秀樹 |
| 发表日期 | 1998-12-08 |
| 专利号 | JP1998326936A |
| 著作权人 | MITSUBISHI CHEM CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 リッジストライプ型導波路構造半導体発光装置の光広がり角の制御を容易に行う。 【解決手段】 基板上に第1導電型第1クラッド層、活性層、第2導電型第1クラッド層及び電流が注入されるストライプ領域上に形成されたリッジ型の第2導電型第2クラッド層ならびに該ストライプ領域の両側を覆う保護膜を有する半導体発光装置であって、該第2導電型第1クラッド層の屈折率が該第2導電型第2クラッド層の屈折率より大きいことを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1998-12-08 |
| 申请日期 | 1998-03-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86663]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI CHEM CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 藤井 克司,長尾 哲,下山 謙司,等. 半導体発光装置. JP1998326936A. 1998-12-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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