化合物半導体発光素子の製作方法
文献类型：专利
| 作者 | 平谷 雄二; 今荘 義弘; 菊田 俊夫 |
| 发表日期 | 1993-06-11 |
| 专利号 | JP1993145196A |
| 著作权人 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 化合物半導体発光素子の製作方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 真空一貫プロセスで製作する化合物半導体発光素子の製作方法を提供する。 【構成】 化合物半導体層上にマスクを形成し、該マスクを利用してエッチングおよび選択結晶成長を行う工程を有する化合物半導体発光素子の製作方法において、化合物半導体層4表面に化合物半導体の酸化膜5からなるマスクを形成し、このマスクを利用してエッチングおよび選択結晶成長を行う。 |
| 公开日期 | 1993-06-11 |
| 申请日期 | 1991-11-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86664]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 平谷 雄二,今荘 義弘,菊田 俊夫. 化合物半導体発光素子の製作方法. JP1993145196A. 1993-06-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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