半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 森 克己 |
| 发表日期 | 2001-07-06 |
| 专利号 | JP3206080B2 |
| 著作权人 | セイコーエプソン株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】信頼性が高く、高歩留まり、高特性なフォトダイオード内臓型面発光半導体レーザを簡便に提供する。 【構成】半導体基板(102) に対して垂直な共振器を持つ半導体レーザにおいて、共振器が構成する発光部(120) の近傍に共振器と同一構造を持った検出部(121) を作成し、発光部と検出部の間をII-VI族化合物半導体エピタキシャル層(109) で埋め込んで構成する。発光部から出射されるレーザ光出力を検出部で検出し、APC回路用のフォトダイオードを内蔵した面発光半導体レーザを構成する。 |
| 公开日期 | 2001-09-04 |
| 申请日期 | 1992-03-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86670]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | セイコーエプソン株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 森 克己. 半導体レーザ. JP3206080B2. 2001-07-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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