半導体レーザの評価方法
文献类型：专利
| 作者 | 奈良崎 亘; 佐藤 誠也; シング ビラハム パル |
| 发表日期 | 1999-07-02 |
| 专利号 | JP1999177177A |
| 著作权人 | ADVANTEST CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの評価方法 |
| 英文摘要 | 【課題】短期間で、デバイスレベルでのレーザの評価を行うことができる面発光型半導体レーザの評価方法を提供する。 【解決手段】n型基板10上に、n型DBRミラー11、活性層12、n型DBRミラー13を順次積層して成る半導体レーザについて行われる評価方法であって、n型DBRミラー11、活性層12、p型DBRミラー13をエピタキシャル成長により連続して形成した後、その形成されたp型DBRミラー13および活性層12を、所定のレジストパターンをマスクに順次エッチングしてメサ型構造に加工し、該加工後のp型DBRミラー13に出射窓および電極15aを形成するとともにn型DBRミラー11に電極15bを形成して、目的とする半導体レーザに対応するレーザ構造を得、該レーザ構造の特性を評価する。 |
| 公开日期 | 1999-07-02 |
| 申请日期 | 1997-12-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86671]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ADVANTEST CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奈良崎 亘,佐藤 誠也,シング ビラハム パル. 半導体レーザの評価方法. JP1999177177A. 1999-07-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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