半導体発光装置とその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 長崎 洋樹 |
| 发表日期 | 1997-12-12 |
| 专利号 | JP1997321380A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置とその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 取付部への半田によるダイボンドにおいて、半田の這い上がりが発生してもリークの発生を効果的に、かつ製造工程数を増加することなく回避できるようにする。 【解決手段】 基板1上に、少なくとも第1導電型クラッド層3と、活性層4と、第2導電型クラッド層5とを有する積層半導体層8が形成され、この積層半導体層8の光出射端面を有する側面と、光出射端面を有しない側面とに渡って絶縁性保護膜15が形成され、光出射端面を有しない側面が、基板1側に向かって対向するように傾く逆メサ状傾斜面とされる。 |
| 公开日期 | 1997-12-12 |
| 申请日期 | 1996-05-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86672]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 長崎 洋樹. 半導体発光装置とその製造方法. JP1997321380A. 1997-12-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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