半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 遠藤 健司 |
| 发表日期 | 1996-12-13 |
| 专利号 | JP1996330669A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】本発明の目的は、簡単な製造工程で端面近傍に電流非注入構造を形成し、高信頼な光ディスク用半導体レーザを提供することにある。 【構成】活性層と、これを挟んでバンドギャップの広いクラッド層を設けた半導体レーザであり、励起領域ではこのクラッド層とキャップ層の間に両者の中間的なバンドギャップのヘテロバッファ層を設け、共振器端面近傍ではクラッド層とキャップ層が直接接した電流非注入構造を設け、端面近傍の活性層への電流注入を低減する。 |
| 公开日期 | 1996-12-13 |
| 申请日期 | 1995-06-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86674]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 遠藤 健司. 半導体レーザ. JP1996330669A. 1996-12-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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