AlGaAsの表面処理方法
文献类型：专利
| 作者 | 後藤 修; 中村 幸治; 中島 徹人; 堀川 英明 |
| 发表日期 | 1997-03-28 |
| 专利号 | JP1997083080A |
| 著作权人 | 沖電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | AlGaAsの表面処理方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 空気中にAlGaAsの表面が晒されて生成する自然酸化膜を容易に除去出来るAlGaAsの表面処理方法を提供する。 【解決手段】 AlGaAsの表面に形成された自然酸化膜14に対して不活性ガス雰囲気中でリン酸処理を行なって自然酸化膜を除去するとともにAlGaAsの表面にひ素(As)単体の被覆層16を形成し、その後、被覆層16に残存するリン酸を超純水により洗浄し、然る後、被覆層16を、非酸化雰囲気中で200〜300℃の温度範囲で加熱処理して除去する。 |
| 公开日期 | 1997-03-28 |
| 申请日期 | 1995-09-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86676]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 沖電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 後藤 修,中村 幸治,中島 徹人,等. AlGaAsの表面処理方法. JP1997083080A. 1997-03-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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