半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 宮島 博文; 神崎 武司; 森田 剛徳; 菅 博文 |
| 发表日期 | 1999-05-11 |
| 专利号 | JP1999126944A |
| 著作权人 | HAMAMATSU PHOTONICS KK |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 端面劣化を起こさずに出力を高めることが可能な半導体レーザを提供することを課題とする。 【解決手段】 半導体レーザ10は、n型基板12上に、n型クラッド層14、n型光ガイド層16、n型キャリアブロック層18、n型反導波層20、活性層22、p型反導波層24、p型キャリアブロック層26、p型光ガイド層28及びp型クラッド層30を順次積層した構造になっている。活性層22は、二つの量子井戸層32及び34でバリア層36で挟んだ積層構造を、さらに二つのサイドバリア層38及び40で挟んだ構造になっている。ここで、反導波層20、24は、サイドバリア層38、40よりもエネルギーギャップが大きく、キャリアブロック層18、26よりもエネルギーギャップが小さくなっている。 |
| 公开日期 | 1999-05-11 |
| 申请日期 | 1997-10-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86688]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HAMAMATSU PHOTONICS KK |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宮島 博文,神崎 武司,森田 剛徳,等. 半導体レーザ. JP1999126944A. 1999-05-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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