半導体発光装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 山口 典彦; 浜口 雄一 |
| 发表日期 | 2009-06-18 |
| 专利号 | JP2009135148A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】半導体発光装置を構成する半導体層を形成してから、狭い範囲に窓部を形成することを可能にする。 【解決手段】半導体発光装置が形成されるもので第1クラッド層13と第2クラッド層17,19との間に活性層15を有する半導体層21を形成するときに第2クラッド層17,19の中間層としてエッチングストッパ層18を形成しておき、半導体層21で形成される半導体発光装置の発光端面が形成される領域上に、エッチングストッパ層18に達する第1溝22を形成し、該第1溝22底部に形成した拡散物質を含む膜(図示せず)中の拡散物質を第1溝22底部から拡散させて、第1クラッド層13に達する拡散領域25を形成した後、拡散物質を含む膜を除去してから第1溝22底部の拡散領域25に第2溝26を形成して、第2溝26側面に活性層15の端面を露出させることを特徴とする。 【選択図】図4 |
| 公开日期 | 2009-06-18 |
| 申请日期 | 2007-11-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86695]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山口 典彦,浜口 雄一. 半導体発光装置の製造方法. JP2009135148A. 2009-06-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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