半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 大 橋 真; 古 山 英 人; 泉 谷 敏 英 |
| 发表日期 | 2000-07-14 |
| 专利号 | JP2000196138A |
| 著作权人 | TOSHIBA CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 GaAs基板の上に形成する各種の半導体素子において、基板との格子の不整合に起因する問題を解消し、高性能且つ高信頼性を有する半導体素子を提供することを目的とする。 【解決手段】 GaAs基板の上にGaAlAs層またはInGaAlAs層を含んだ素子構造を形成するに際して、これらの層にりん(P)または窒素(N)を添加することにより、その格子定数をGaAs基板を一致させて格子歪みの発生を解消することができ、同時に、GaAlAs層やInGaAlAs層が有する化学的な不安定性を緩和し、素子の信頼性を改善することができる。さらに、バンドギャップを拡大して、光の吸収率を低下させたり、光の閉じ込め効率を改善するなどの効果も得ることができる。 |
| 公开日期 | 2000-07-14 |
| 申请日期 | 1998-12-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86703]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大 橋 真,古 山 英 人,泉 谷 敏 英. 半導体素子. JP2000196138A. 2000-07-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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