光素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 山添 哲也; 上島 研一; 田口 英夫; 苅田 秀孝 |
| 发表日期 | 1998-05-22 |
| 专利号 | JP1998135561A |
| 著作权人 | 日本オプネクスト株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 光導波路の端面を被う被膜(パッシベーション膜)の脱落を防止するレーザダイオードの製造方法の提供。 【解決手段】 レーザダイオードがモノリシックに組み込まれてなる光素子であり、前記レーザダイオードの光導波路の端面が被膜で被われてなる光素子であって、前記被膜が形成される光導波路の端面部分の光素子表面は他の光素子表面部分よりも一段低くなっている。前記被膜が形成される光導波路の端面全体の光素子表面部分が他の光素子表面部分よりも一段低くなっている。前記光導波路の一端面は低反射率膜で被われ、他端面は高反射率膜で被われている。前記レーザダイオードが形成された光素子の表面部分は前記レーザダイオードの光導波路に沿って帯状に高くなっている。 |
| 公开日期 | 1998-05-22 |
| 申请日期 | 1996-10-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86704]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本オプネクスト株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山添 哲也,上島 研一,田口 英夫,等. 光素子およびその製造方法. JP1998135561A. 1998-05-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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