半導体レーザ装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 斉藤 肇; 辰巳 正毅 |
| 发表日期 | 1997-03-11 |
| 专利号 | JP1997069667A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 p型クラッド層のZnの拡散に起因する素子特性の劣化を防ぎ、素子寿命にも優れた半導体レーザ装置を制御性および歩留り良く製造する。 【解決手段】 p型AlGaAs第2クラッド層105とn型GaAs電流阻止層109との間に、Cドープ層106が形成されている。n型電流阻止層109で生成した格子間Gaの拡散がCドープ層106により抑制されるので、p型第2クラッド層105中のZnの異常拡散を抑止できる。活性層104に隣接するp型第2クラッド層105にはZnがドープされてCがドープされていないので、結晶欠陥が導入されにくい。 |
| 公开日期 | 1997-03-11 |
| 申请日期 | 1995-08-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86716]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 斉藤 肇,辰巳 正毅. 半導体レーザ装置およびその製造方法. JP1997069667A. 1997-03-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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