半導体レーザ装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 竹内 辰也 |
| 发表日期 | 1993-05-18 |
| 专利号 | JP1993121824A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 本発明は、埋め込み構造を有する半導体レーザ装置およびその製造方法に関し、埋め込み構造を経由する漏れ電流を低減し、高出力レーザ装置を提供することを目的とする。 【構成】 半導体基板1の上にその表面に平行な活性層3を含む発光領域2、3、4を有し、この発光領域はその周囲側面に埋め込み層7、9を具え、この埋め込み層の外側面に外側面を巡る横溝12が形成され、この横溝12によって埋め込み層を経由する電流経路が狭窄されるように構成した。また、上記の構造を有する埋め込み層を形成するために、発光領域の周囲側面に複数の異なる半導体材料からなる層を重ねて形成する工程と、この層のうちの一部を、各半導体材料のエッチング速度の差を利用する選択エッチングによって除去する工程を採用した。 |
| 公开日期 | 1993-05-18 |
| 申请日期 | 1991-10-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86717]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 竹内 辰也. 半導体レーザ装置およびその製造方法. JP1993121824A. 1993-05-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。