半導体装置の製法
文献类型：专利
| 作者 | 西田 敏夫; 玉村 敏昭 |
| 发表日期 | 1993-12-27 |
| 专利号 | JP1993347457A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置の製法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】 平坦な表面をもつ半導体基板上の2つの領域に、第1及び第2の半導体層が形成されている半導体装置を製造する際、上記2つの半導体層を高精度に位置決めされた状態に容易に形成できる製造法を提供する。 【構成】 表面が平坦な半導体基板1上に、半導体基板の表面1aを外部に臨ませる第1の窓を有し且つ厚さが薄い第1絶縁膜11を形成し、次に基板表面上に第1絶縁膜上に延長し、かつ基板表面の第1の窓に臨む領域を外部に臨ませる第2の窓を有し、かつ厚さの薄い第2絶縁膜15を形成する。次に基板表面1a上に第2の窓に臨む領域で、第2絶縁膜15をマスクとするエピタキシヤル成長法により第1の半導体層を形成する。第2絶縁膜を基板表面から除去した後、基板表面上に第1の窓に臨む領域における第1の半導体層が形成されていない領域で、第1絶縁膜11をマスクとしてエピタキシヤル成長法により第2の半導体層9を形成する。 |
| 公开日期 | 1993-12-27 |
| 申请日期 | 1992-06-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86734]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 西田 敏夫,玉村 敏昭. 半導体装置の製法. JP1993347457A. 1993-12-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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