高抵抗埋込層の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 浅井 裕充; 小▲高▼ 勇; 脇田 紘一 |
| 发表日期 | 1994-06-24 |
| 专利号 | JP1994177487A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 高抵抗埋込層の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 光通信あるいは光情報処理の分野で利用される半導体光源、光変調器、光検出器、光非線形素子などの素子を高性能化するために適応される高抵抗埋込層の製造方法を提供する。 【構成】 半導体ウエハ上にシリコン酸化膜或いはシリコン窒化膜でエッチングマスクを形成する工程と、化学湿式エッチング或いはプラズマ乾式エッチングまたはその二つを組み合わせたエッチングによって半導体ウエハをメサ状に削る工程と、高抵抗半導体層で該半導体メサを埋め込む工程と、化学湿式エッチングによって該半導体ウエハのシリコン酸化膜或いはシリコン窒化膜上の多結晶高抵抗半導体をリフトオフする工程からなる高抵抗層埋込方法において、該高抵抗層埋込層としてのアンドープInAlAs23を600℃以下の成長温度で形成し、ハイメサ構造のメサ端での盛り上りを防ぎ平坦な埋込層とする。 |
| 公开日期 | 1994-06-24 |
| 申请日期 | 1992-12-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86743]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 浅井 裕充,小▲高▼ 勇,脇田 紘一. 高抵抗埋込層の製造方法. JP1994177487A. 1994-06-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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