端面発光型半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 倉本 大 |
| 发表日期 | 2010-02-12 |
| 专利号 | JP2010034221A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 端面発光型半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】RIN特性を低くすることができる端面発光型半導体レーザおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】活性層16とn側電極32との間に周期構造層13を設ける。周期構造層13は、AlInN層とGaN層との周期構造とし、一層の厚さをλ/4n(λは波長、nは屈折率をそれぞれ表す。)とする。活性層16から基板11側へ放出された自然放出光は、周期構造層13により反射されて活性層16へと戻され、RIN特性が低くなる。p型超格子クラッド層の超格子構造を変調することにより、周期構造層13と同様な反射層としての機能をもたせることも可能である。周期構造層13を、AlGaN層とGaN層との周期構造とし、周期構造層13の平均アルミニウム組成比Xと合計厚さtとを、t≦0.000422*X-2.821の関係を満たすようにしてもよい。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2010-02-12 |
| 申请日期 | 2008-07-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86763]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 倉本 大. 端面発光型半導体レーザおよびその製造方法. JP2010034221A. 2010-02-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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