光半導体装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 雙田 晴久 |
| 发表日期 | 1996-02-16 |
| 专利号 | JP1996046295A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】モード変換器付の光半導体装置に関し、低閾電流で発振し、導波路での光吸収を少なくし、製造を容易にすること。 【構成】第1の電極層の上に設けられた第1のクラッド層と、光を発振する利得領域から光を導波するモード変換領域にかけて形成され、該モード変換領域では前記利得領域から離れるにつれて膜厚が薄くなるように前記第1のクラッド層上に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成され、前記光の進行方向に延在するリッジ部を上部に有する第2のクラッド層と、前記第2のクラッド層の前記リッジ部上の前記利得領域に形成された第2の電極とを含む。 |
| 公开日期 | 1996-02-16 |
| 申请日期 | 1994-07-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86765]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 雙田 晴久. 光半導体装置及びその製造方法. JP1996046295A. 1996-02-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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