半導体材料のエッチング方法
文献类型：专利
| 作者 | 中西 正浩 |
| 发表日期 | 1994-10-28 |
| 专利号 | JP1994302554A |
| 著作权人 | CANON INC |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体材料のエッチング方法 |
| 英文摘要 | 【目的】損傷が少なく良質な結晶を作製できるエッチング方法を提供する。 【構成】エッチング装置は、第1の真空室1、第2の真空室2、第1の電磁コイル3、第2の電磁コイル4、エッチングガス供給口5、導波管6、半導体材料を支持する基板ホルダ7、基板8、高周波電源9を主要部として構成される。両方の真空室には磁場が印加され、イオンが磁場に閉じ込められて基板8付近まで発散せずに進む。基板ホルダ7に高周波バイアスを印加し、強化されたドライビング·フォースによってイオンを基板8に引き込むので、低い高周波電力でもイオンの方向性が一定で物理スパッタ力が十分に得られるが、イオン衝撃は小さい。このため、エッチングでの結晶損傷の度合いが低減する。 |
| 公开日期 | 1994-10-28 |
| 申请日期 | 1993-04-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86772]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | CANON INC |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中西 正浩. 半導体材料のエッチング方法. JP1994302554A. 1994-10-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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