半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 吉村 学; 生駒 暢之; 平塚 健二 |
| 发表日期 | 2009-10-29 |
| 专利号 | JP2009252839A |
| 著作权人 | 住友電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 リーク電流の抑制が図られた半導体レーザ及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明に係る半導体レーザ1の製造方法においては、半導体メサ21の側面のうちの上側InPクラッド層26の側面に、マストランスポート部30aが形成される。そして、この半導体メサ21は、延在方向に直交する断面において、上側InPクラッド層26の下端面の縁端部位置Pがその上端面の縁端部位置Qよりも外側にある。このような上側InPクラッド層26の側面にマストランスポート部30aを形成した場合、InP埋込層30を高い精度で形成できることを発明者らは新たに見いだした。従って、この方法により半導体レーザ1を作製することで、InP埋込層30が高い精度で形成され、それにより、作製される半導体レーザ1におけるリーク電流が有意に抑制される。 【選択図】図4 |
| 公开日期 | 2009-10-29 |
| 申请日期 | 2008-04-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86783]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉村 学,生駒 暢之,平塚 健二. 半導体レーザ及びその製造方法. JP2009252839A. 2009-10-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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