半導体レーザーおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 下山 謙司; 藤井 克司; 後藤 秀樹 |
| 发表日期 | 2001-10-26 |
| 专利号 | JP3243808B2 |
| 著作权人 | 三菱化学株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザーおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【構成】半導体基板上に1回目成長としてレーザーの特性上所望のクラッド層厚をもつダブルヘテロ構造を形成し、しかるのち電流が注入されるためのストライプ領域上に選択成長保護膜を形成し、2回目の成長として、電流ブロック層を所望の厚さ選択的に成長させ、さらに選択成長保護膜を取り除いたのちに、3回目の成長として電流を注入するための第2のクラッド層およびコンタクト層を成長したことを特徴とする半導体レーザーの製造方法において、1回目成長時にエッチング工程を用いずに所望のクラッド層残し膜厚をもつダブルヘテロ構造を形成することを特徴とする半導体レーザーの製造方法。 【効果】本発明により、特性の均一な半導体レーザーを分留りよく得ることができる半導体レーザーの製造方法を提供しうる。 |
| 公开日期 | 2002-01-07 |
| 申请日期 | 1991-10-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86787]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱化学株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 下山 謙司,藤井 克司,後藤 秀樹. 半導体レーザーおよびその製造方法. JP3243808B2. 2001-10-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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