半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 伊藤 晋; 山本 三郎 |
| 发表日期 | 2007-01-11 |
| 专利号 | JP2007005375A |
| 著作权人 | SHARP CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 埋め込み型へテロ構造レーザ(BH)の低閾値発振特性を生かした上で、高出力領域(たとえば100mW以上)で高効率低消費電力(低動作電圧)の半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 この半導体レーザ装置では、中間層としてのN型AlGaAsバッファ層5がストライプ状の凸部3と第1クラッド層としてのN型AlGaAs下部クラッド層6との間に形成されている。N型AlGaAsバッファ層5は、ストライプ状の凸部3のN型GaAsバッファ層4のエネルギーバンドギャップEg2とN型AlGaAs下部クラッド層6のエネルギーバンドギャップEg3との中間のエネルギーバンドギャップEg1を有する。この中間のエネルギーバンドギャップEg1を有するN型AlGaAsバッファ層5の存在により、電流-電圧特性が著しく改善されて、動作電圧の低減を実現できる。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2007-01-11 |
| 申请日期 | 2005-06-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86804]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 伊藤 晋,山本 三郎. 半導体レーザ装置. JP2007005375A. 2007-01-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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