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面発光半導体レーザ

文献类型:专利

作者田所 貴志; 川上 剛司
发表日期1994-12-13
专利号JP1994342958A
著作权人NIPPON TELEGR & TELEPH CORP
国家日本
文献子类发明申请
其他题名面発光半導体レーザ
英文摘要【目的】 100℃以上でボンディングを行っても、反射率増強のための金属膜の効果を十分に利用して、反射鏡の反射率を向上させることができる面発光半導体レーザを提供する。 【構成】 ヒートシンクにボンディングする側が、発光層8に近い方から反射鏡、第1の金属膜13、誘電体膜14、第2の金属膜12の順で構成することにより、100℃以上でボンディングを行っても、反射率増強のための第1の金属膜13とボンディング用金属との合金化が生じないため、第1の金属膜13による反射率増強効果を十分利用でき、反射鏡の膜厚を著しく減少させることが可能となる。また、ボンディングを行うことで効果的に放熱を行うことができるため、この素子はボンディングに用いる金属の融点以下であれば安定に動作させることが可能となる。
公开日期1994-12-13
申请日期1993-06-02
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86806]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位NIPPON TELEGR & TELEPH CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
田所 貴志,川上 剛司. 面発光半導体レーザ. JP1994342958A. 1994-12-13.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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