面発光半導体レーザ
文献类型:专利
作者 | 田所 貴志; 川上 剛司 |
发表日期 | 1994-12-13 |
专利号 | JP1994342958A |
著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 面発光半導体レーザ |
英文摘要 | 【目的】 100℃以上でボンディングを行っても、反射率増強のための金属膜の効果を十分に利用して、反射鏡の反射率を向上させることができる面発光半導体レーザを提供する。 【構成】 ヒートシンクにボンディングする側が、発光層8に近い方から反射鏡、第1の金属膜13、誘電体膜14、第2の金属膜12の順で構成することにより、100℃以上でボンディングを行っても、反射率増強のための第1の金属膜13とボンディング用金属との合金化が生じないため、第1の金属膜13による反射率増強効果を十分利用でき、反射鏡の膜厚を著しく減少させることが可能となる。また、ボンディングを行うことで効果的に放熱を行うことができるため、この素子はボンディングに用いる金属の融点以下であれば安定に動作させることが可能となる。 |
公开日期 | 1994-12-13 |
申请日期 | 1993-06-02 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86806] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 田所 貴志,川上 剛司. 面発光半導体レーザ. JP1994342958A. 1994-12-13. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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