量子井戸型半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 渡辺 斉 |
| 发表日期 | 1994-12-02 |
| 专利号 | JP1994334265A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 量子井戸型半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 量子井戸型半導体レーザの特性を向上する。 【構成】 量子井戸構造の活性層4に接して配置された、相互に組成の異なる半導体層を交互に複数層積層してなり、上記半導体層の組成,層厚,及び積層数が、上記活性層内に注入されるキャリアに対して材料固有のエネルギー障壁よりも高いエネルギー障壁を形成し、かつ活性層近傍の屈折率分布が電界を活性層部分に集中させる屈折率分布となるように調整された、多重量子障壁(MQB)構造の光閉じ込め層3,5を備えた構成とした。 【効果】 活性層内への光の閉じ込め量を増大できるとともに、MQBの電子波干渉効果により、キャリアの光閉じ込め層へのオーバーフローを抑制でき、これにより、しきい値の低減,外部量子効率の向上,動特性の向上が図れる。 |
| 公开日期 | 1994-12-02 |
| 申请日期 | 1993-05-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86810]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 渡辺 斉. 量子井戸型半導体レーザ. JP1994334265A. 1994-12-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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