干渉露光に関わる半導体装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 松田 学 |
| 发表日期 | 1993-04-02 |
| 专利号 | JP1993080527A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 干渉露光に関わる半導体装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 DFBレーザの回折格子であるコルゲーション構造を、位相が正確に半周期ずれたものとして形成する方法を提供すること。 【構成】 一回の干渉露光処理によりコルゲーションの全長にわたってレジストの格子パターンを形成しておき、コルゲーションの半分はこのレジストパターンをマスクとする選択エッチングで形成し、他の部分では、このレジストパターンを用いて自己整合的に相補的マスクパターンを形成した上で、この相補的マスクパターンを用いて選択エッチングを施し、コルゲーションの残り半分を形成する。 【効果】 コルゲーションの周期性の基礎となるパターンが、その全長にわたって一度に形成されるため、反転部分の位相のずれが正確に半周期となる。 |
| 公开日期 | 1993-04-02 |
| 申请日期 | 1991-09-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86814]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松田 学. 干渉露光に関わる半導体装置の製造方法. JP1993080527A. 1993-04-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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