半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 伊藤 哲; 大畑 豊治; 石橋 晃; 中山 典一 |
| 发表日期 | 1995-06-16 |
| 专利号 | JP1995154035A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 光閉じ込め特性およびキャリア閉じ込め特性が良好で、動作時の発熱がなく、しかも製造が容易な、ZnMgSSe系化合物半導体をクラッド層の材料として用いた青色ないし緑色で発光が可能な半導体発光素子を実現する。 【構成】 n型GaAs基板1上にn型ZnSeバッファ層2を介してn型Zn1-p Mgp Sq Se1-q クラッド層3、n型ZnSe光導波層4、活性層5、p型ZnSe光導波層6、p型Zn1-p Mgp Sq Se1-q クラッド層7、p型ZnSv Se1-v 層8およびp型ZnSeコンタクト層9を順次積層するとともに、p型ZnSeコンタクト層9上にはp側電極11を形成し、n型GaAs基板1の裏面にはn側電極12を形成し、半導体レーザーや発光ダイオードなどの半導体発光素子を構成する。活性層5は例えばi型Zn1-z Cdz Seにより形成する。 |
| 公开日期 | 1995-06-16 |
| 申请日期 | 1994-04-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86815]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 伊藤 哲,大畑 豊治,石橋 晃,等. 半導体発光素子. JP1995154035A. 1995-06-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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