半導体発光素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 堀江 秀善; 太田 弘貴; 藤森 俊成 |
| 发表日期 | 2000-02-25 |
| 专利号 | JP2000058960A |
| 著作权人 | MITSUBISHI CHEMICALS CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 高出力動作時に端面温度の上昇を抑え、ひいては端面劣化を抑制し、高出力かつ高信頼性の半導体発光素子を得る。 【解決手段】 半導体基板上に第一導電型クラッド層、活性層及び第二導電型クラッド層を有する半導体発光素子において、該活性層は、共振器を形成する少なくともひとつの端面近傍が、構成元素の一部が脱離することにより発振波長に対して透明化されていることを特徴とする。半導体基板上に第一導電型クラッド層、量子井戸を含む活性層及び第二導電型クラッド層を有する半導体発光素子の製造方法において、該半導体基板上に第一導電型クラッド層、活性層及び第二導電型クラッド層を形成し、共振器を形成する端面を形成し、真空中で該端面を加熱して該端面を構成する元素の一部を再蒸発させて、該活性層の端面近傍に発振波長に対して透明化された領域を形成することを特徴とする。 |
| 公开日期 | 2000-02-25 |
| 申请日期 | 1998-08-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86816]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI CHEMICALS CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 堀江 秀善,太田 弘貴,藤森 俊成. 半導体発光素子及びその製造方法. JP2000058960A. 2000-02-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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