半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 天明 二郎; 和田 正人 |
| 发表日期 | 1993-01-08 |
| 专利号 | JP1993003364A |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 0.98μm帯で発振し、光ファイバとの結合効率の良い高出力半導体レーザを提供する。 【構成】 活性層6を光閉込め層5と7で挾み、さらに光閉込め層5と7をガイド層4と8で挾み、これらガイド層4と8をクラッド層3と9で挾んだ構造とする。これらガイド層4と8により、しきい値の上昇ならびに微分効率の低下を招くことなく、光フィールド分布を広げ、レーザ特性として垂直横放射角を低減し、かつ横モード安定化のためにリッジ幅を狭小化する際の最大光出力の低下が押さえられる。 |
| 公开日期 | 1993-01-08 |
| 申请日期 | 1991-06-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86823]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 天明 二郎,和田 正人. 半導体レーザ. JP1993003364A. 1993-01-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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