垂直共振器型面発光レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 知野 豊治; 松田 賢一 |
| 发表日期 | 1996-08-20 |
| 专利号 | JP1996213693A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 垂直共振器型面発光レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 p型DBRを通らずにホールを活性層に注入し、低抵抗の垂直共振器型面発光レーザを提供する。 【構成】 GaAs基板101上に、p-GaAs層102、p型ブラッグ反射器103、p型クラッド層104、AlGaAs層105、発光活性層106、AlGaAs層107、n型AlGaAsクラッド層108、n型ブラッグ反射器109、n型GaAsキャップ層110を積層している。AlGaAs層105からn-GaAs110まではポスト形状になっており、これをエアポスト113とよぶ。アノード112は、エアポスト近傍のクラッド層104上に形成されており、カソード111はエアポスト上に形成されている。エアポスト113の断面形状は中央部がくびれている。これによりアノード電極112をポスト113の近傍に設けることができ、しきい値電流の小さいレーザを実現できる。 |
| 公开日期 | 1996-08-20 |
| 申请日期 | 1995-02-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86826]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 知野 豊治,松田 賢一. 垂直共振器型面発光レーザ及びその製造方法. JP1996213693A. 1996-08-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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