窒化物半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 松下 俊雄 |
| 发表日期 | 1999-08-17 |
| 专利号 | JP1999224969A |
| 著作权人 | 日亜化学工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 n導電側のコンタクト層やGaN基板等のレーザ導波路以外での光の伝播を抑制し、ファーフィールドパターン及びニヤーフィールドパターンが良好となる窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法を提供することである。 【解決手段】 異種基板1上に異種基板1より屈折率が大きい第1の窒化物半導体層101、第1の窒化物半導体層より屈折率が小さい第2の窒化物半導体層102、第2の窒化物半導体層102よりも屈折率が大きい活性層103を順に積層してなる素子の第2の窒化物半導体層102と異種基1板との間に光吸収層105を設ける、あるいは異種基板1に光吸収性を持たせる。又GaN基板に形成されたレーザ素子の素子構造を有していない面に光吸収膜を形成する。 |
| 公开日期 | 1999-08-17 |
| 申请日期 | 1998-06-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86833]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亜化学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松下 俊雄. 窒化物半導体レーザ素子. JP1999224969A. 1999-08-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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