半導体レーザー及び半導体素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 松田 修; 田口 歩; 丸谷 幸利 |
| 发表日期 | 1994-02-25 |
| 专利号 | JP1994053608A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザー及び半導体素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 電流ストップ層を用いた電流狭窄構造を有する半導体レーザーにおいて、電流ストライプ幅を高い制御性で制御する。 【構成】 p型クラッド層4上にn型エッチングストップ層5を形成し、このn型エッチングストップ層5上にn型電流ストップ層6を形成した後、このn型電流ストップ層6をウエットエッチング法により選択的にエッチングすることによりストライプ状の開口6aを形成する。この後、この開口6aの部分のn型エッチングストップ層5中にp型不純物を拡散させてp型化する。 |
| 公开日期 | 1994-02-25 |
| 申请日期 | 1992-07-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86850]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松田 修,田口 歩,丸谷 幸利. 半導体レーザー及び半導体素子の製造方法. JP1994053608A. 1994-02-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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