半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 山田 義和 |
| 发表日期 | 1997-05-02 |
| 专利号 | JP1997116221A |
| 著作权人 | 三井化学株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | (修正有) 【課題】半導体レーザ素子の出射端面の低半射化と素子の長寿命化を同時に満足する端面保護膜を有する半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】半導体レーザ素子1はGaAs基板2上にMOCVD法でエピタキシャル成長した活性層とクラッド層を含む多層薄膜3と、多層薄膜面に垂直で発振波長λに対して共振器を形成する2つの端面4,5と、これら端面のうちレーザビームが出射する端面4上に形成された発振波長に対して低反射率を有する端面保護膜6を含んでいる。この保護膜は第1薄膜8と第2薄膜9からなり、第1薄膜8の材料はアルミナであり、その屈折率をna、出射レーザビームの波長をλとすればその膜厚は実質的にλ/2naとなる。第2薄膜9の屈折率nf及び膜厚dfは多層膜3の実効屈折率をnsとして、nf=ns0.5及びdf=λ/4nfを実質満たす。 |
| 公开日期 | 1997-05-02 |
| 申请日期 | 1995-10-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86852]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三井化学株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山田 義和. 半導体レーザ素子. JP1997116221A. 1997-05-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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