窒化物半導体の結晶成長方法および窒化物半導体装置並びにその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 伊藤 国雄; 石田 昌宏 |
| 发表日期 | 2000-02-18 |
| 专利号 | JP2000049092A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRON CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物半導体の結晶成長方法および窒化物半導体装置並びにその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】窒化物半導体結晶層における転位を従来よりも減少させる窒化物半導体の結晶成長方法を提供する。 【解決手段】本発明の窒化物半導体の結晶成長方法は、基板上に金属単結晶層を形成する工程と、金属単結晶層を窒化することによって金属窒化物単結晶層を形成する工程と、金属窒化物単結晶層上に窒化物半導体層をエピタキシャル成長する工程とを包含する。 |
| 公开日期 | 2000-02-18 |
| 申请日期 | 1999-05-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86857]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRON CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 伊藤 国雄,石田 昌宏. 窒化物半導体の結晶成長方法および窒化物半導体装置並びにその製造方法. JP2000049092A. 2000-02-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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