半導体レーザアレイ装置
文献类型：专利
| 作者 | 粂 雅博; 太田 一成; 清水 裕一; 内藤 浩樹 |
| 发表日期 | 1999-04-09 |
| 专利号 | JP2912750B2 |
| 著作权人 | 松下電子工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザアレイ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 電流ブロック層にクラッド層よりも禁制帯幅が大きく、屈折率が小さい半導体層を用いてレーザアレイを構成することにより低動作電流で大出力の位相同期発振を可能にする。 【構成】 n型GaAs基板1の上にn型GaAlAsからなる第1のクラッド層3、活性層4、p型GaAlAsからなる第2のクラッド層5があり、第2のクラッド層5の上にそれよりAlAs混晶比が大きくストライプ状の溝を有するn型の電流ブロック層7があり、溝の中には電流ブロック層7よりAlAs混晶比の小さなGaAlAs層からなる第3のクラッド層6があり、隣合うストライプ間のレーザ光の位相を同期させ、ストライプ間でのレーザ光の損失をなくして高効率発振を可能にする。 |
| 公开日期 | 1999-06-28 |
| 申请日期 | 1991-12-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86861]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電子工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 粂 雅博,太田 一成,清水 裕一,等. 半導体レーザアレイ装置. JP2912750B2. 1999-04-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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