自励発振型半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 藤井 宏明; 遠藤 健司 |
| 发表日期 | 2000-09-22 |
| 专利号 | JP2000261098A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 自励発振型半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 可飽和吸収層がキャリアオーバーフローの影響を受けず、高温まで安定な自励発振動作をする自励発振型半導体レーザを提供する。 【解決手段】 n型クラッド層(103)と、MQW活性層(105)と、p型クラッド層(106)とからなるダブルへテロ構造の半導体レーザにおいて、n型クラッド層(103)中に圧縮歪みを有するn型可飽和吸収層(104)を設ける。これによって可飽和吸収層(104)がキャリアオーバーフローの影響を受けず、高温まで安定な自励発振動作をする自励発振型半導体レーザを実現することができる。 |
| 公开日期 | 2000-09-22 |
| 申请日期 | 1999-03-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86865]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 藤井 宏明,遠藤 健司. 自励発振型半導体レーザ. JP2000261098A. 2000-09-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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