半導体レーザ素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 栗林 均 |
| 发表日期 | 1997-06-06 |
| 专利号 | JP1997148673A |
| 著作权人 | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】半導体レ-ザ素子の層構成とストライプ形成時のエッチング量を適正化し、特性の良い素子とその再現性良い製造方法を提供する。 【解決手段】第1導電型の半導体基板1上に第1導電型のAlX Ga1-X As(0.3Y Ga1-Y As(0X Ga1-X As からなる第2クラッド層4および第2導電型のGaAsからなるキャップ層5を順次積層した後、第2クラッド層の中間までエッチングを行って第2クラッド層およびキャップ層よりなるストライプ状メサ部を形成し、そのストライプ状メサ部の両側を電流阻止層7で埋め込み、さらに全面に第2導電型のAlX Ga1-X Asからなる第3クラッド層8、第2導電型のGaAsからなるコンタクト層9を積層し、第2クラッド層と第3クラッド層の厚さの和を第1クラッド層の厚さに略等しくする。 |
| 公开日期 | 1997-06-06 |
| 申请日期 | 1995-11-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86869]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 栗林 均. 半導体レーザ素子およびその製造方法. JP1997148673A. 1997-06-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。