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光半導体素子

文献类型:专利

作者小山 貴之; 阿久津 稔
发表日期2010-01-21
专利号JP2010016120A
著作权人ROHM CO LTD
国家日本
文献子类发明申请
其他题名光半導体素子
英文摘要【課題】誘電体膜の剥離を抑制できる光半導体素子を提供する。 【解決手段】半導体光増幅器(光半導体素子)1は、基板2と、半導体積層部3と、p側電極5と、n側電極6と、一対の反射防止膜(請求項の誘電体膜に相当)7、8とを備えている。半導体積層部3には、n型クラッド層11と、活性層12と、p型クラッド層13と、p型コンタクト層14とが基板2側から順に積層されている。半導体積層部3には、ストライプ部4が形成されている。半導体積層部3のストライプ部4の延長線上には、凹部21、22が形成されている。ストライプ部4の端面と対向する凹部21、22の面21a、22aには、誘電体膜が積層された反射防止膜7、8が形成されている。凹部21、22は、n型クラッド層11まで達し、且つ、光の進行方向の外側が開口されている。 【選択図】図1
公开日期2010-01-21
申请日期2008-07-02
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86870]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位ROHM CO LTD
推荐引用方式
GB/T 7714
小山 貴之,阿久津 稔. 光半導体素子. JP2010016120A. 2010-01-21.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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