光半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 小山 貴之; 阿久津 稔 |
| 发表日期 | 2010-01-21 |
| 专利号 | JP2010016120A |
| 著作权人 | ROHM CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体素子 |
| 英文摘要 | 【課題】誘電体膜の剥離を抑制できる光半導体素子を提供する。 【解決手段】半導体光増幅器(光半導体素子)1は、基板2と、半導体積層部3と、p側電極5と、n側電極6と、一対の反射防止膜(請求項の誘電体膜に相当)7、8とを備えている。半導体積層部3には、n型クラッド層11と、活性層12と、p型クラッド層13と、p型コンタクト層14とが基板2側から順に積層されている。半導体積層部3には、ストライプ部4が形成されている。半導体積層部3のストライプ部4の延長線上には、凹部21、22が形成されている。ストライプ部4の端面と対向する凹部21、22の面21a、22aには、誘電体膜が積層された反射防止膜7、8が形成されている。凹部21、22は、n型クラッド層11まで達し、且つ、光の進行方向の外側が開口されている。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2010-01-21 |
| 申请日期 | 2008-07-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86870]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ROHM CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小山 貴之,阿久津 稔. 光半導体素子. JP2010016120A. 2010-01-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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