半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 阿部 博明; 三ッ谷 真司 |
| 发表日期 | 1999-08-10 |
| 专利号 | JP1999220215A |
| 著作权人 | アルプス電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 回折格子を有し、安定した単一モード発振が得られ、製造が容易で製造歩留まりが高い半導体レーザを提供する。 【解決手段】 この半導体レーザは、半導体基板12上に、下部クラッド層13と、活性層14と、上部クラッド層15と、コンタクト層16と、電流通路を成すストライプ溝19を有する電流ストップ層17と、電極層18とを順次積層し、底部が上部クラッド層15に至る断面四角形状の複数の凹部20をそれぞれストライプ溝方向に所定間隔あけて並設する一方、凹部20の並設列の中央部に凹部が形成されていない領域23を設けたものである。 |
| 公开日期 | 1999-08-10 |
| 申请日期 | 1998-02-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86873]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | アルプス電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 阿部 博明,三ッ谷 真司. 半導体レーザ. JP1999220215A. 1999-08-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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