半導体レーザ素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 池上 嘉一; 竹田 昇一 |
| 发表日期 | 1993-03-26 |
| 专利号 | JP1993075216A |
| 著作权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 素子分離の歩留まりを向上させた半導体レーザ素子の製造方法を提供する。 【構成】 基板の片面にエピタキシャル層を積層したウェハー6にスクライブ溝8、10を形成し、該スクライブ溝8、10を利用して前記ウェハー6をへき開して共振器面を形成し、素子を分離する半導体レーザ素子の製造方法において、共振器面形成のためのスクライブ溝8をウェハー6のエピタキシャル積層面7に形成し、素子分離のためのスクライブ溝10をウェハー6の基板面9に形成する。 |
| 公开日期 | 1993-03-26 |
| 申请日期 | 1991-09-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86888]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 池上 嘉一,竹田 昇一. 半導体レーザ素子の製造方法. JP1993075216A. 1993-03-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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