GaN系レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 近江 晋; 伊藤 茂稔; 大野 智輝; 川上 俊之 |
| 发表日期 | 2006-12-28 |
| 专利号 | JP2006352159A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | GaN系レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】雑音が低減されたGaN系レーザ素子を提供する。 【解決手段】発光層を含むGaN系半導体積層構造を含むGaN系レーザ素子において、その半導体積層構造にはストライプ状導波路構造が作り込まれているとともに、そのストライプ状導波路を幅方向に挟むように対向した2つの側面が形成されており、それら2つの側面の少なくとも一部上には幅方向におけるファブリペロー共振器としての作用を抑制するための反射抑制膜が形成されており、その反射抑制膜は波長390〜420nmの領域で10%以下の反射率を有することを特徴としている。 【選択図】図16 |
| 公开日期 | 2006-12-28 |
| 申请日期 | 2006-08-28 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86889]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 近江 晋,伊藤 茂稔,大野 智輝,等. GaN系レーザ素子. JP2006352159A. 2006-12-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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