半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 荒木田 孝博; 宮坂 文人; 正野 篤士; 多田 健太郎; 大沢 洋一; 堀田 等 |
| 发表日期 | 2000-12-08 |
| 专利号 | JP2000340890A |
| 著作权人 | NEC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 メサストライプ周囲における面方位の違いに起因する結晶欠陥の発生が抑止され、出射レーザ光に対する光吸収性が効果的に抑制された埋込み構造を有し、歩留まりが良く、長期信頼性が得られる半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】 半導体レーザ素子は、GaAs(100)基板11上に順次に積層されたSiクラッド層13、活性層14及びZnクラッド層15を備え、Znクラッド層15がメサストライプに形成されている。この半導体レーザ素子は、メサストライプ15aを埋め込む成長層が、AlGaAsを含むSi電流ブロック層18及びAlGaInPを含むSi電流ブロック層19、20から構成されている。 |
| 公开日期 | 2000-12-08 |
| 申请日期 | 1999-05-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86891]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 荒木田 孝博,宮坂 文人,正野 篤士,等. 半導体レーザ素子. JP2000340890A. 2000-12-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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